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通用型與達林頓型光耦合器區分

4.1方法之一

　　在通用型光耦合器中，接收器是一只硅光電半導體管，因此在B-E之間只有一個硅PN結。達林頓型不然，它由復合管構成，兩個硅PN結串聯成復合管的發射結。根據上述差別，很容易將通用型與達林頓型光耦合器區分開來。具體方法是，將萬用表撥至R×100檔，黑表筆接B極，紅表筆接E極，采用讀取電壓法求出發射結正向電壓VBE。若VBE=0.55～0.7V，就是達林頓型光耦合器。

實例：用500型萬用表的R×100檔分別測量4N35、4N30型光耦合器的VBE，測量數據及結論一并列入表2中。

　　　　　　　　　　　　　　　　　  表2測試結果

                  型號 RBE（Ω） n`（格） VBE（V） 計算公式 測試結論

                  4N35 850 23 0.69 VBE=0.03n（V） 通用型

                  4N30 4.3k 40.5 1.215 VBE=0.03n`（V） 達林頓型

4.2方法之二

　　通用型與達林頓型光耦合器的主要區別是接收管的電流放大系數不同。前者的hFE為幾十倍至幾百倍，后者可達數千倍，二者相差1～2個數量級。因此，只要準確測量出hFE值，即可區分。在測量時應注意事項：

（1）因為達林頓型光耦合器的hFE值很高，所以表針兩次偏轉格數非常接近。準確讀出n1、n2的格數是本方法關鍵所在，否則將引起較大的誤差。此外，歐姆零點亦應事先調準。

（2）若4N30中的發射管損壞，但接收管未發現故障，則可代替超β管使用。同理，倘若4N35中的接收管完好無損，也可作普通硅NPN晶體管使用，實現廢物利用。

（3）對于無基極引線的通用型及達林頓型光耦合器，本方法不再適用。建議采用測電流傳輸比CTR的方法加以區分。